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第三代半导体产品
氮化镓器件 GaN HEMT

氮化镓器件 GaN HEMT

Prisemi开发了P-GaN E-mode系列产品,该系列产品具有Qg小、开关速度快等特点。除此之外,使用的DFN5060、DFN8080等贴片封装适合产品小型化应用,例如30W以上的PD快充。与此同时,还开发了Cascode E-mode系列产品,该系列产品具有高栅极可靠性的特征,在封装上与超结MOS做到Pin-to-Pin,且各项参数优于超结MOS,具有较强替代性。

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