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第三代半导体产品
碳化硅肖特基 SiC SBD

碳化硅肖特基 SiC SBD

采用第三代MPS(Merged PiN Schottky Diode)技术开发的SiC肖特基二极管系列产品,具有Vf较低,开通损耗低,浪涌能力高,反向恢复时间快等特点,适用于高频开关电源的设计中。目前,公司产品包含650V/1200V/1700V三种电压档次等多种封装形式的品种。

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