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第三代半导体产品
碳化硅MOS SiC MOS

碳化硅MOS SiC MOS

与传统硅基器件相比,采用第三代平面技术开发的SiC MOSFET系列产品,具有更低的导通电阻、更高的开关速度和更好的导热性能,适用于更高温、高压的工作环境。Prisemi包含650V和1200V电压档次的分立器件产品。产品比导通电阻低于3.3mΩ*cm2,支持驱动电压Vgs=15V和Vgs=18V,且可靠性考核满足1000h,适用于光伏储能、新能源等领域。

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